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      新能源車的IGBT

      當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發展比較成熟的產品,國內外的模塊廠商已經開發了很多,但是有一個模塊需要引起行業內的重視,那就是電機驅動部分,則是電機驅動部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管芯片)。

      首先我們先來了解一下。它是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,它擁有的特性是:高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅動線路;高速開關特性;導通狀態低損耗。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點:驅動功率小而飽和壓降低,是一種適合于中、大功率應用的電力電子器件。IGBT在綜合性能方面占有明顯優勢,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。


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